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FQD8P10TF_NB82052

FQD8P10TF_NB82052

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQD8P10TF_NB82052中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.5W Ta, 44W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6.6A

输入电容Ciss 470pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD8P10TF_NB82052引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQD8P10TF_NB82052 Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号FQD8P10TF_NB82052
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD8P10TF_NB82052

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: DPAK P-CH 100V 6.6A

当前型号

Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: FQD8P10TM_F085

品牌: 飞兆/仙童

封装: DPAK P-CH 100V 6.6A

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FQD8P10TF_NB82052和FQD8P10TM_F085的区别