极性 P-CH
耗散功率 2.5W Ta, 44W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 6.6A
输入电容Ciss 470pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD8P10TF_NB82052 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD8P10TF_NB82052 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: DPAK P-CH 100V 6.6A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: FQD8P10TM_F085 品牌: 飞兆/仙童 封装: DPAK P-CH 100V 6.6A | 类似代替 | 增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQD8P10TF_NB82052和FQD8P10TM_F085的区别 |