FCH20N60
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCH20N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
输入电容 3.08 nF
栅电荷 98.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FCH20N60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FCH20N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FCH20N60 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 600V 20A 190mohms 3.08nF | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FCA20N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN-3 N-Channel 600V 20A 190mohms 3.08nF | 完全替代 | PFC + PWM组合控制器 PFC+PWM Combination Controller | FCH20N60和FCA20N60的区别 |
| 型号： FCP20N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 20A 190mohms | 功能相似 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FCH20N60和FCP20N60的区别 |
| 型号： FCA20N60F 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 600V 20A 150mohms | 功能相似 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FCH20N60和FCA20N60F的区别 |