漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 630 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 446 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDY3001NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDY3001NZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-563 N-Channel 20V 200mA 5ohms | 当前型号 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDY3000NZ 品牌: 飞兆/仙童 封装: SC-89 N-Channel 20V 600mA 250mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY3000NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V | FDY3001NZ和FDY3000NZ的区别 |