FDD6796
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6796中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2315pF @13VVds
额定功率Max 3.7 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.7W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD6796引脚图与封装图
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在线购买FDD6796
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6796 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 25 V ， 40 A ， 5.7米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mヘ | 搜索库存 |
替代型号FDD6796
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6796 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 25V 20A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 25 V ， 40 A ， 5.7米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mヘ | 当前型号 |
| 型号： FDD6796A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 25V 20A | 类似代替 | N沟道的PowerTrench ？ MOSFET的25 V ， 5.7毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ | FDD6796和FDD6796A的区别 |