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FDU6680
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

30V N沟道的PowerTrench ? MOSFET 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON , fast switching speed and extremely low RDSONin a small package.

Features

• 56 A, 30 V  RDSON= 9.5 mΩ@ VGS= 10 V

                  RDSON= 13 mΩ@ VGS= 4.5 V

• Low gate charge 23nC typ.

• Fast Switching

• High performance trench technology for extremely low RDSON

FDU6680中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.3W Ta, 56W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 46.0 A

输入电容Ciss 1230pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

耗散功率Max 3.3W Ta, 56W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDU6680引脚图与封装图
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