FQD5N15TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD5N15TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 800 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD5N15TF引脚图与封装图
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在线购买FQD5N15TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD5N15TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD5N15TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD5N15TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 150V 4.3A 800mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD5N15TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 150V 4.3A 800mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD5N15TF和FQD5N15TM的区别 |
| 型号： FQD5N15 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET | FQD5N15TF和FQD5N15的区别 |