FQB17P10TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB17P10TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -16.5 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 100W Tc
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 16.5 A
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
耗散功率Max 3.75W Ta, 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB17P10TM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB17P10TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB17P10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道 100V 16.5A | 搜索库存 |
替代型号FQB17P10TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB17P10TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 P-Channel 100V 16.5A 190mohms | 当前型号 | P沟道 100V 16.5A | 当前型号 |
| 型号： FQB17P10 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET | FQB17P10TM和FQB17P10的区别 |