FQD3N60TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD3N60TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 2.40 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
输入电容Ciss 450pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD3N60TM引脚图与封装图
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在线购买FQD3N60TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD3N60TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD3N60TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD3N60TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 600V 2.4A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD3N60CTM_WS 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 600V 2.4A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD3N60TM和FQD3N60CTM_WS的区别 |
| 型号： FQD3N60TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6ohms | 类似代替 | N沟道 600V 2.4A | FQD3N60TM和FQD3N60TF的区别 |