FDB2670

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 200V 19A Ta 93W Tc Surface Mount TO-263AB

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N沟道 200V 19A

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MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB

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Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

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MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

FDB2670中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 19.0 A

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 93W Tc

输入电容 1.32 nF

栅电荷 27.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 19.0 A

上升时间 5.00 ns

输入电容Ciss 1320pF @100VVds

额定功率Max 93 W

耗散功率Max 93W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB2670引脚图与封装图

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