FDS6894AZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
主动器件
FDS6894AZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 8.00 A
漏源极电阻 17.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.46 nF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1455pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6894AZ引脚图与封装图
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在线购买FDS6894AZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6894AZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6894AZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6894AZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 8A 2W | 当前型号 | 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6911 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 7.5A 13mohms 1.13nF | 类似代替 | FDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8 | FDS6894AZ和FDS6911的区别 |