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FDB5645
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDB5645中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

漏源极电阻 9.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 4468pF @30VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDB5645引脚图与封装图
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FDB5645 Fairchild 飞兆/仙童 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存