FDS4080N3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4080N3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 8.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3W Ta
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 8.00 ns
输入电容Ciss 1750pF @20VVds
额定功率Max 3 W
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4080N3引脚图与封装图
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在线购买FDS4080N3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4080N3 | Fairchild 飞兆/仙童 | 40V N沟道FLMP的PowerTrench MOSFET 40V N-Channel FLMP PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4080N3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4080N3 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 13A 8.5mohms | 当前型号 | 40V N沟道FLMP的PowerTrench MOSFET 40V N-Channel FLMP PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4070N3 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 15.3A 5.5mohms | 类似代替 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4080N3和FDS4070N3的区别 |
| 型号： FDS4070N7 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 15.3A 7mohms | 类似代替 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4080N3和FDS4070N7的区别 |
| 型号： FDS4072N7 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 12.4A 11mohms | 类似代替 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4080N3和FDS4072N7的区别 |