FDW2501NZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDW2501NZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 mA
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1286pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDW2501NZ引脚图与封装图
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在线购买FDW2501NZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDW2501NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDW2501NZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDW2501NZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP N-Channel 20V 5.5mA 18mohms | 当前型号 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI6954ADQ-T1-GE3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A ID, 30V, 2Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-153, TSSOP-8 | FDW2501NZ和SI6954ADQ-T1-GE3的区别 |