FDB8878
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8878中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 12.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 47.3W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
输入电容Ciss 1235pF @15VVds
额定功率Max 47.3 W
耗散功率Max 47.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB8878引脚图与封装图
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在线购买FDB8878
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8878 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench㈢ 30V ， 48A ， 14mOhm N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 48A, 14mOhm | 搜索库存 |
替代型号FDB8878
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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