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FDR842P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDR842P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -11.0 A

漏源极电阻 9.00 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 5.35 nF

栅电荷 57.0 nC

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 -250 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20.0 ns

输入电容Ciss 5350pF @6VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDR842P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDR842P Fairchild 飞兆/仙童 P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 搜索库存