FDW2512NZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDW2512NZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 28.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.60 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 670pF @10VVds
额定功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDW2512NZ引脚图与封装图
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在线购买FDW2512NZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDW2512NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDW2512NZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDW2512NZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP N-Channel 20V 6A 28mohms | 当前型号 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDW2512NZ_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | FDW2512NZ和FDW2512NZ_NL的区别 |