FDS5692Z

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V ， 5.8A ， 24米欧姆 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm

N-Channel 50V 5.8A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC

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N沟道 50V 5.8A

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Trans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R

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Trans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R

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MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC

FDS5692Z中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1025pF @25VVds

额定功率Max 1.1 W

下降时间 6 ns

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS5692Z引脚图与封装图

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FDS5692Z	Fairchild 飞兆/仙童	N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V ， 5.8A ， 24米欧姆 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm	搜索库存