FQPF4N20

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

N-Channel 200V 2.8A Tc 27W Tc Through Hole TO-220F

得捷:
MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F

立创商城:
N沟道 200V 2.8A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.8A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

FQPF4N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 2.80 A

漏源极电阻 1.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 27W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.80 A

输入电容Ciss 220pF @25VVds

额定功率Max 27 W

耗散功率Max 27W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF4N20引脚图与封装图

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