FDD044AN03L
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD044AN03L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
漏源极电阻 3.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
输入电容 5.16 nF
栅电荷 91.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 154 ns
输入电容Ciss 5160pF @15VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 63 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD044AN03L引脚图与封装图
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在线购买FDD044AN03L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD044AN03L | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD044AN03L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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