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FQPF13N10
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

N-Channel 100V 8.7A Tc 30W Tc Through Hole TO-220F


得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F


立创商城:
N沟道 100V 8.7A


贸泽:
MOSFET 100V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


FQPF13N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 12.8 A

漏源极电阻 180 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 8.70 A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF13N10引脚图与封装图
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