FDD6670AL
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6670AL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 84.0 A
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83W Ta
输入电容 3.84 nF
栅电荷 37.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 84.0 A
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 3845pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
耗散功率Max 83W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6670AL引脚图与封装图
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在线购买FDD6670AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6670AL | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD6670AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6670AL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 84A 8mohms 3.84nF | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD6670AL_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N沟道 30V 84A | FDD6670AL和FDD6670AL_NL的区别 |