FQA85N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA85N06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 100 A
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 214W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 4120pF @25VVds
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA85N06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA85N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA85N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 60V 100A 10mohms | 当前型号 | 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA85N06和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP60NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FQA85N06和STP60NF06的区别 |
| 型号： STB55NF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA85N06和STB55NF06T4的区别 |