FDS5170N7
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS5170N7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.6 A
漏源极电阻 12.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.6 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2889pF @30VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS5170N7引脚图与封装图
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在线购买FDS5170N7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS5170N7 | Fairchild 飞兆/仙童 | 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS5170N7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS5170N7 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 60V 10.6A 12mohms | 当前型号 | 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDMS5672 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 60V 10.6A 11.5ohms 2.8nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5672 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 V | FDS5170N7和FDMS5672的区别 |