FDD20AN06A0
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD20AN06A0中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 45.0 A
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
输入电容 950 pF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
上升时间 98 ns
输入电容Ciss 950pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD20AN06A0引脚图与封装图
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在线购买FDD20AN06A0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD20AN06A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD20AN06A0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD20AN06A0 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 45A 17mohms 950pF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD20AN06A0_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 60V 45A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDD20AN06A0和FDD20AN06A0_F085的区别 |