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FDB6670AS
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

N-Channel 30V 62A Ta 62.5W Tc Surface Mount TO-263AB


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N沟道 30V 62A


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MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB


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MOSFET 30V N-Channel PT SyncFET


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Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FDB6670AS中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 31.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

输入电容 1.57 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 62.0 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 1570pF @15VVds

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB6670AS引脚图与封装图
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