FQP19N20L
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP19N20L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 140 W
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP19N20L引脚图与封装图
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在线购买FQP19N20L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP19N20L | Fairchild 飞兆/仙童 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQP19N20L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP19N20L 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 21A 110mohms | 当前型号 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRL640A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 18A 180mohms | 类似代替 | MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQP19N20L和IRL640A的区别 |