FQPF3N80CYDTU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF3N80CYDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 4.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 39W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 705pF @25VVds
额定功率Max 39 W
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF3N80CYDTU引脚图与封装图
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在线购买FQPF3N80CYDTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF3N80CYDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 800V 3A | 搜索库存 |
替代型号FQPF3N80CYDTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF3N80CYDTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 800V 3A 4.8ohms | 当前型号 | N沟道 800V 3A | 当前型号 |
| 型号： FQPF3N80C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 800V 3A 4.8ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V | FQPF3N80CYDTU和FQPF3N80C的区别 |