FQPF4N80

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

N-Channel 800V 2.2A Tc 43W Tc Through Hole TO-220F-3

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N沟道 800V 2.2A

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MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F

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Trans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

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800V N-Channel MOSFET

FQPF4N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.20 A

漏源极电阻 3.60 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43W Tc

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

输入电容Ciss 880pF @25VVds

额定功率Max 43 W

耗散功率Max 43W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF4N80引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
FQPF4N80	Fairchild 飞兆/仙童	800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET	搜索库存

替代型号FQPF4N80

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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