FDFS2P103A

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

P-Channel 30 V 5.3A Ta 900mW Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

立创商城:
P沟道 30V 5.3A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R

FDFS2P103A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -5.30 A

漏源极电阻 59.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 900mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 5.30 A

上升时间 16.0 ns

输入电容Ciss 535pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDFS2P103A引脚图与封装图

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