FQPF19N20CYDTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF19N20CYDTU中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 43W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 19A
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
耗散功率Max 43W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQPF19N20CYDTU引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF19N20CYDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 搜索库存 |