FCB11N60FTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCB11N60FTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 125 W
输入电容 1.49 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 98 ns
输入电容Ciss 1490pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 56 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FCB11N60FTM引脚图与封装图
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在线购买FCB11N60FTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCB11N60FTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FCB11N60FTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FCB11N60FTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-CH 600V 11A 1.49nF | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FCB11N60TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 600V 11A 320mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V | FCB11N60FTM和FCB11N60TM的区别 |
| 型号： FCB11N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 600V 11A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V | FCB11N60FTM和FCB11N60的区别 |