FDMS8660S
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS8660S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 40.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 2.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 4.34 nF
栅电荷 113 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 4345pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
外形尺寸
封装 Power-56
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDMS8660S引脚图与封装图
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在线购买FDMS8660S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS8660S | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8660S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDMS8660S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS8660S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 8-PQFN N-Channel 30V 25A 1.9mohms 4.34nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8660S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： FDMS7670AS 品牌： 飞兆/仙童 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 30V 22A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7670AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 V | FDMS8660S和FDMS7670AS的区别 |
| 型号： BSC025N03MS G 品牌： 英飞凌 封装： TSDSON-8 N-Channel | 功能相似 | INFINEON BSC025N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V | FDMS8660S和BSC025N03MS G的区别 |