FDD7030BL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD7030BL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8W Ta, 60W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
输入电容Ciss 1425pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD7030BL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDD7030BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD7030BL | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD7030BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD7030BL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 56A 9.5mohms | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD8880 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 58A 9mohms 1.26nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.5 V | FDD7030BL和FDD8880的区别 |