FQB6N40CFTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N40CFTM中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 113 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
封装参数
封装 D2PAK
外形尺寸
封装 D2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB6N40CFTM引脚图与封装图
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| FQB6N40CFTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |