FDS8670
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8670中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
输入电容Ciss 4040pF @15VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8670引脚图与封装图
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在线购买FDS8670
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8670 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS8670
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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