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FQD12N20TF

FQD12N20TF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQD12N20TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 55W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

输入电容Ciss 910pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD12N20TF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQD12N20TF Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 200V 9A 搜索库存
替代型号FQD12N20TF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD12N20TF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 9A 280mohms

当前型号

N沟道 200V 9A

当前型号

型号: FDD2670

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 3.6A 130mohms 1.23nF

类似代替

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FQD12N20TF和FDD2670的区别

型号: FQD18N20V2TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 15mA 140mohms

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QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQD12N20TF和FQD18N20V2TM的区别

型号: HUF75925D3ST

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 11A 275mohms

类似代替

11A , 200V , 0.275 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

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