额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 55W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
输入电容Ciss 910pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD12N20TF | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 200V 9A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD12N20TF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 9A 280mohms | 当前型号 | N沟道 200V 9A | 当前型号 | |
型号: FDD2670 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 3.6A 130mohms 1.23nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2670 场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252 | FQD12N20TF和FDD2670的区别 | |
型号: FQD18N20V2TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 15mA 140mohms | 类似代替 | QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQD12N20TF和FQD18N20V2TM的区别 | |
型号: HUF75925D3ST 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 11A 275mohms | 类似代替 | 11A , 200V , 0.275 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs | FQD12N20TF和HUF75925D3ST的区别 |