FDB3672
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB3672中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 1710pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB3672引脚图与封装图
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在线购买FDB3672
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB3672 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB3672
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB3672 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 100V 44A 24mohms | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDB3652 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 100V 61A 16mohms 2.88nF | 类似代替 | N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз | FDB3672和FDB3652的区别 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDB3672和STP55NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDB3672和STW20NK50Z的区别 |