FDP5645
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP5645中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 9.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 4468pF @30VVds
额定功率Max 125 W
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP5645引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP5645 | Fairchild 飞兆/仙童 | 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDP5645
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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