![FQP18N20V2](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_152/chanpintu/fqp18n20v2-W789ZU60-4oMbna6jA.png)
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 123W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
耗散功率Max 123W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQP18N20V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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