FQB3N60CTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
漏源极电阻 2.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 565pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQB3N60CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |