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FDI025N06
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDI025N06中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 395 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 265A

上升时间 324 ns

输入电容Ciss 14885pF @25VVds

额定功率Max 395 W

下降时间 250 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 395W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDI025N06引脚图与封装图
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在线购买FDI025N06
型号 制造商 描述 购买
FDI025N06 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V , 265A , 2.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.5mヘ 搜索库存