FDMS8674
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS8674中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2320pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDMS8674引脚图与封装图
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在线购买FDMS8674
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS8674 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30V ， 21A ， 5.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 21A, 5.0mヘ | 搜索库存 |
替代型号FDMS8674
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS8674 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power N-CH 30V 17A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30V ， 21A ， 5.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 21A, 5.0mヘ | 当前型号 |
| 型号： FDMS8680 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 30V 14A 8.5mohms | 类似代替 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30V ，35A ， 7.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 35A, 7.0mヘ | FDMS8674和FDMS8680的区别 |