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FQB16N15TM

FQB16N15TM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQB16N15TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 16.4 A

通道数 1

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 16.4 A

上升时间 115 ns

输入电容Ciss 910pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 108W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB16N15TM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQB16N15TM Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 150V 16.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存