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FDC3616N
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDSON and fast switching speed.

Features

• 3.7 A, 100 V. RDSON = 70 mΩ @ VGS = 10 V

                    RDSON = 80 mΩ @ VGS = 6.0 V

• High performance trench technology for extremely low R DSON

• Low gate charge 23nC typical

• High power and current handling capability

• Fast switching speed.

Applications

• DC/DC converter

• Load Switching

FDC3616N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 3.70 A

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1215pF @50VVds

额定功率Max 1.1 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SSOT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC3616N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDC3616N Fairchild 飞兆/仙童 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存