FDI8441
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDI8441中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 26A
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
额定功率Max 300 W
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDI8441引脚图与封装图
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在线购买FDI8441
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDI8441 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDI8441
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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