FQB11N40TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB11N40TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 11.4 A
通道数 1
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.4 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 147W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB11N40TM引脚图与封装图
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在线购买FQB11N40TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB11N40TM | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 400V 11.4A | 搜索库存 |
替代型号FQB11N40TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB11N40TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 400V 11.4A 480mohms | 当前型号 | N沟道 400V 11.4A | 当前型号 |
| 型号： FQB11N40 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQB11N40TM和FQB11N40的区别 |