FQD19N10TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD19N10TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 15.6 A
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 15.6 A
输入电容Ciss 780pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD19N10TF引脚图与封装图
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在线购买FQD19N10TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD19N10TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD19N10TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD19N10TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 15.6A 100mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD19N10TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 15.6A 100mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V | FQD19N10TF和FQD19N10TM的区别 |
| 型号： FQD19N10 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | FQD19N10TF和FQD19N10的区别 |