FDS6614A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6614A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.30 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.16 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1160pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6614A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS6614A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6614A | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6614A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6614A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 9.3A 18mohms 1.16nF | 当前型号 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS8878 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 10.2A 14mohms 897pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V | FDS6614A和FDS8878的区别 |
| 型号： FDS8882 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 9A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8882 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V | FDS6614A和FDS8882的区别 |
| 型号： NDS9410A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 7.3A 28mohms | 类似代替 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | FDS6614A和NDS9410A的区别 |