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FDZ209N
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

60V N沟道的PowerTrench MOSFET BGA 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

N-Channel 60 V 4A Ta 2W Ta Surface Mount 12-BGA 2x2.5


得捷:
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA


立创商城:
N沟道 60V 4A


贸泽:
MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 12-Pin BGA T/R


FDZ209N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

通道数 1

漏源极电阻 80 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 657 pF

栅电荷 9.00 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 657pF @30VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-12

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 0.6 mm

封装 BGA-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDZ209N引脚图与封装图
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