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FQP6N90
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQP6N90中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 5.80 A

漏源极电阻 1.90 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 1880pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQP6N90引脚图与封装图
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FQP6N90 Fairchild 飞兆/仙童 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET 搜索库存